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    年度2013
    等級SCI
    論文名稱Design and Analysis of Power Low-Temperature Polysilicon Lateral Double-Diffusionmetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Shielding-Trench Structure
    期刊名稱Japanese Journal of Applied Physics
    全部作者Jyh-Ling Lin, Cang-Ting Lin
    卷號52
    期號8
    頁次084201-1~084201-6
    總頁數6
    著作人數2
    作者型態First AuthorCorresponding Author / First AuthorCorresponding Author
    使用語言英文
    所屬計畫案NSC 97-2221-E-211-019-MY2
    置頂置頂