年度2012
等級SCI
論文名稱Design, Simulation and Fabrication of metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor （MOSFET） with New Termination Structure
期刊名稱IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者Jyh-Ling Lin,Lan-Wei Wen
卷號59
期號12
頁次3179-3185
總頁數7
著作人數2
作者型態First AuthorCorresponding Author / First AuthorCorresponding Author
使用語言英文
所屬計畫案金氧半場效電晶體之新型終端結構設計與模擬