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    年度2012
    等級SCI
    論文名稱Design, Simulation and Fabrication of metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor （MOSFET） with New Termination Structure
    期刊名稱IEEE Transactions on Electron Devices
    全部作者Jyh-Ling Lin,Lan-Wei Wen
    卷號59
    期號12
    頁次3179-3185
    總頁數7
    著作人數2
    作者型態First AuthorCorresponding Author / First AuthorCorresponding Author
    使用語言英文
    所屬計畫案金氧半場效電晶體之新型終端結構設計與模擬
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