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    年度2008
    等級SCI
    論文名稱Modeling and characteristic analysis of silicon-on-insulator lateral-double-diffusion metal oxide semiconductor
    期刊名稱Japanese Journal of Applied Physics
    全部作者Jyh-Ling LIN, Chen-I LIN, Li-Jheng LIN
    卷號47
    期號11
    頁次8243-8247
    總頁數5
    著作人數3
    作者型態First Author
    ISSN(ISBN)1347-4065
    使用語言英文
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