年度2008
等級SCI
論文名稱Modeling and characteristic analysis of silicon-on-insulator lateral-double-diffusion metal oxide semiconductor
期刊名稱Japanese Journal of Applied Physics
全部作者Jyh-Ling LIN, Chen-I LIN, Li-Jheng LIN
卷號47
期號11
頁次8243-8247
總頁數5
著作人數3
作者型態First Author
ISSN(ISBN)1347-4065
使用語言英文