年度2008
等級SCI
論文名稱Fabrication of Novel Three-Step Doping Low-Temperature Poly-Si Lateral Double Diffusion metal Oxide Semiconductor Using Excimer Laser Crystallization
期刊名稱Japanese Journal of Applied Physics
全部作者Jyh-Ling Lin, Huang-Jen Chen, Fang-Long Chang, Huang-Chung Cheng
卷號48
頁次031204-1~031204-5
總頁數5
著作人數4
作者型態First Author
ISSN(ISBN)1347-4065
使用語言英文