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    年度2005
    等級SCI
    論文名稱Characteristics of superjunction lateral-double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor and degradation after electrical stress.
    期刊名稱Japanese Journal of Applied Physics
    全部作者Jyh-Ling LIN,Ming-Jang LIN,Li-Jheng LIN
    卷號45
    期號4A
    頁次2451-2454
    總頁數4
    著作人數3
    作者型態First AuthorCorresponding Author / First AuthorCorresponding Author
    使用語言英文
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