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    年度1990
    等級SCI
    論文名稱Theoretical-Analysis of Channel-Doped Amorphous-Silicon Field-Effect Transistors
    期刊名稱Journal of Applied Physics
    全部作者J.L.Lin, W.J.Sah, S.C.Lee
    卷號68
    期號3
    頁次1335-1339
    總頁數5
    著作人數3
    作者型態First Author
    使用語言英文
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