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    年度2009
    類別會議論文
    等級
    論文名稱Analysis and Simulation of Low-Temperature Poly-Si LDMOSFETs
    會議名稱2009 International Electron Devices and Materials Symposia
    會議地點Taoyuan, Taiwan
    會議開始時間2009-11-05
    會議結束時間2009-11-05
    發表年度2015
    全部作者P. J. Su, J. L. Lin
    著作人數2
    作者型態Corresponding Author
    使用語言英文
    所屬計畫案NSC 96-2221-E-211-022
    置頂置頂