年度2009
類別會議論文
等級
論文名稱Analysis and Simulation of Low-Temperature Poly-Si LDMOSFETs
會議名稱2009 International Electron Devices and Materials Symposia
會議地點Taoyuan, Taiwan
會議開始時間2009-11-05
會議結束時間2009-11-05
發表年度2015
全部作者P. J. Su, J. L. Lin
著作人數2
作者型態Corresponding Author
使用語言英文
所屬計畫案NSC 96-2221-E-211-022