年度2008
類別會議論文
等級
論文名稱Analysis Capacitance Characteristics of Step Doping Low-Temperature Poly-Si Lateral Double Diffusion metal Oxide Semiconductor Transistors
會議名稱2008 International Electron Devices and Materials Symposia
會議地點Taichung, Taiwan
會議開始時間2008-11-05
會議結束時間2008-11-05
發表年度2008
全部作者Y. C. Lee, P. J. Su, and J. L. Lin
著作人數3
作者型態Corresponding Author
使用語言英文