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    年度2008
    類別會議論文
    等級
    論文名稱Analysis Capacitance Characteristics of Step Doping Low-Temperature Poly-Si Lateral Double Diffusion metal Oxide Semiconductor Transistors
    會議名稱2008 International Electron Devices and Materials Symposia
    會議地點Taichung, Taiwan
    會議開始時間2008-11-05
    會議結束時間2008-11-05
    發表年度2008
    全部作者Y. C. Lee, P. J. Su, and J. L. Lin
    著作人數3
    作者型態Corresponding Author
    使用語言英文
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