年度2021
類別
等級其他
論文名稱Study the leakage current of 60 V-class split gate trench MOSFETs with nitrogen oxides layer
會議名稱International Electron Devices and Materials Symposium
主辦單位IEDMS
會議開始時間2021-11-18
會議結束時間2021-11-19
全部作者Y. C. Lee, J. L. Lin
著作人數2
作者型態Corresponding Author