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    年度2006
    類別
    等級SCI
    論文名稱Characteristics of superjunction lateral-double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor and degradation after electrical stress
    會議名稱Japanese Journal of Applied Physics
    會議開始時間2006-10-01
    會議結束時間2006-10-01
    全部作者Lin, J. L.*; Lin, M. J.; Lin, L. J
    著作人數3
    作者型態Corresponding Author
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