年度2006
類別
等級SCI
論文名稱Characteristics of superjunction lateral-double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor and degradation after electrical stress
會議名稱Japanese Journal of Applied Physics
會議開始時間2006-10-01
會議結束時間2006-10-01
全部作者Lin, J. L.*; Lin, M. J.; Lin, L. J
著作人數3
作者型態Corresponding Author