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    年度2009
    類別SCI
    等級SCI
    論文名稱Fabrication of Novel Three-Step Drift-Doped Low-Temperature Polycrystalline Silicon Lateral Double-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Using Excimer Laser Crystallization
    會議名稱Japanese Journal of Applied Physics 2009
    會議地點Japan
    會議開始時間2009-10-01
    會議結束時間2009-10-01
    全部作者Lin, J. L.*; Chen, H. J.; Chang, F. L.; Cheng, H. C
    著作人數4
    作者型態Corresponding Author
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